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功率半導體工程及組件特性介紹

2021-05-15


一、課程簡介:
1. Physics & Engineering for Power Devices (功率元件物理與工程)
2. New Generation Power Semiconductors (新世代功率半導體)
3. Power MOSFET Device, Characteristics and Applications(功率MOSFET元件、特性與應用)
4. Power Tyristor Device, Characteristics and Applications(功率Tyristor元件、特性與應用)
5. Power IGBT Device, Characteristics and Applications(功率IGBT元件、特性與應用)
二、招生對象:
大專以上理工科系畢業,適合從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員。
三、上課時數:12小時
四、預定人數:20人
五、費用:學員負擔4000元,政府負擔4000元
六、執行計畫名稱:智慧電子人才應用發展推動計畫
七、開班單位:自強工業科學基金會
八、課程聯絡人/聯絡電話:陳小姐/03-5623116-3225
九、相關網址:http://edu.tcfst.org.tw/web/index.asp
十、開班單位保留調整課程內容之權利,以上資訊若有更動,依上述網站公告為準,恕不另行通知,敬請見諒。

功率半導體工程及組件特性介紹 (2021-05-15 09:00 ~ 2021-05-22 16:00)
活動地點:清華大學自強基金會新竹總部 (新竹市光復路二段101號)
參與人: 陳小姐

聯絡單位:自強工業科學基金會
聯絡單位連絡人:陳小姐
聯絡單位電話:03-5623116#3225


資料來源: 經濟部工業局




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